جاپانی کمپنی فوجٹسو سیمی کنڈکٹر لمیٹڈ دنیا کی پہلی کمپنی بن گئی ہے جس نے ایک ایسی ریم کی تجارتی طور پر تیاری کا اعلان کیا ہے جو عام DRAM سے ایک ہزار گنا زیادہ تیر رفتار ہے مگر ڈیٹا کو NAND فلیش میموری کی طرح محفوظ کرتی ہے۔ یہ ایک بڑی کامیابی ہے۔
اس نئی غیر طیران پذیر (non-volatile) میموری کا نام نینو ریم (nano-RAM) یا NRAM ہے۔ نینو ریم کا اعلان گزشتہ سال کیا گیا تھا اور اسے کاربن نینو ٹیوب ٹیکنالوجی کی مدد سے بنایا گیا ہے۔ فوجٹسو کا ارادہ ہے کہ وہ DDR4انٹرفیس کی حامل میموری ماڈیول 2018ء کے آخر تک تیار کرلے گا۔ اس کے علاوہ فوجٹسو کا ایک ہدف یہ بھی ہے کہ اپنی Mie Fujitsu سیمی کنڈکٹر فاؤنڈری کے تحت NRAM کی ایسی چپس بھی تیار کرے جسے دوسری کمپنیوں اپنے مصنوعات میں استعمال کرسکیں۔
نین ٹیرو (Nantero)، جس نے این ریم ایجاد کی ہے،کے مطابق دنیا بھر میں قائم 7 فیبریکیشن پلانٹس نے پچھلے سال اس نئی میموری کے تجربات کیے ہیں اور فوجٹسو کے علاوہ ایک اور معروف مائیکرو چپ بنانے والی کمپنی این ریم کی تیاری کے حوالے سے تیزی سے کام کررہی ہے۔ فوجٹسو کا ارادہ ہے کہ این ریم کو سب سے پہلے 55 نینو میٹر پروسس پربنائے گا۔ آسان زبان میں اگر بات کی جائے تو 55 نینو میٹر پروسس کا مطلب ہے کہ اس میموری میں موجود ٹرانسسٹر کا سائز 55 نینو میٹر ہوگا۔ اس پروسس پر بنائی گئی میموری ابتدا میں بہت زیادہ ڈیٹا محفوظ کرنے کے قابل نہیں ہوگی۔ تاہم نین ٹیرو کے سی ای او کہتے ہیں کہ کمپنی ان ریم کا ایک ورژن 40 نینو میٹر پروسس پر بھی بنائے گی۔
تقریباً ہر اہم ٹیکنالوجی کی طرح ابتدا میں این ریم مصنوعات کو ڈیٹا سینٹروں اور سرورز کے لئے بنایا جائے گا۔ لیکن وقت کے ساتھ ساتھ یہ میموری عام صارفین کے زیر استعمال آلات مثلاً لیپ ٹاپس، کمپیوٹروں اور اسمارٹ فونز میں بھی دستیاب ہوجائے گی۔ اس میموری کی خاص بات اس کا صرف تیز رفتار ہونا ہی نہیں، بلکہ یہ انتہائی معمولی توانائی یعنی صرف چند فیمٹو جولز (femtojoules) استعمال کرتی ہے۔ ایک فیمٹو جول میں 0.000000000000001جول ہوتے ہیں۔ اس لیے NRAM سے بیٹری لمبے عرصے تک چل سکے گی اور موبائل ڈیوائسز کا اسٹینڈ بائی ٹائم کئی مہینے تک بڑھایا جاسکے گا۔ یہ بہت سخت جان میموری بھی ہے۔ 85 ڈگری سینٹی گریڈ کے درجہ حرارت پر یہ ایک ہزار سے بھی زیادہ سال تک ڈیٹا محفوظ رکھ سکتی ہے جبکہ 300 ڈگری سینٹی گریڈ پر بھی کم و بیش 300 سال تک ڈیٹا کو کچھ نہیں ہوگا۔
فوجسٹونے ابھی یہ نہیں بتایا کہ اس کی ابتدائی این ریم پراڈکٹس کو DIMM (ڈوئل ان لائن میموری ماڈیول) کے طور پر بنایا جائے گا یا نہیں تاہم دوسرے فیبریکیشن پارٹنر ضرور ایسا کر سکتے ہیں۔ اس وقت این ریم کو دو جہتی انداز میں بنایا جارہا ہے۔ یعنی میموری سیل عمودی (horizontally) طور پر بنائے جاتے ہیں۔ تاہم NAND فلیش میموری کی طرح اسے سہ جہتی بھی بنایا جاسکتا ہے۔ اس طرح میموری کا حجم بڑھائے بغیر اس میں زیادہ ڈیٹا محفوظ کرنا ممکن ہوسکے گا۔ نین ٹیرو کے مطابق این ریم کو ڈی ریم کے مقابلے میں آدھی قیمت پر بنایا جاسکتا ہے۔ زیادہ کثیف میموری بنانے پر یہ قیمت مزید کم ہوجائے گی۔